История АО «НИИЭТ» берет свое начало в 1961 году, когда при Воронежском заводе полупроводниковых приборов было основано Центральное конструкторское бюро. Основной задачей предприятия в первые годы его становления было создание и освоение серийного выпуска полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов) на основе германия и кремния — сначала на базе изделий, разрабатываемых московским НИИ «Пульсар», а затем и самостоятельно. Параллельно с этим проводились разработки нестандартного технологического оборудования для оснащения строящихся цехов и участков ВЗПП. В 1962 г. на ЦКБ при ВЗПП была возложена задача по разработке комплексно-механизированной линии по изготовлению наиболее массовых диодов Д226. Запуск линии в производство обеспечил выпуск до 10 миллионов диодов Д226 в год. В период 1963–1964 гг. с участием специалистов ЦКБ на ВЗПП было освоено серийное производство с приемкой заказчика германиевых мощных транзисторов П213–П217, П602–П603, кремниевых транзисторов средней мощности П307–П309 и мощных транзисторов П702, 2Т903. Одним из знаковых достижений ЦКБ при ВЗПП стала работа по разработке первой отечественной интегральной схемы. 60-е гг. были периодом освоения и внедрения на ВЗПП процессов планарной технологии, что подготовило базу для разработки первой интегральной биполярной микросхемы. Активная работа по созданию интегральной схемы началась в ЦКБ при ВЗПП в конце 1964 г. Группа специалистов под руководством В.И. Никишина, в которую входили Л.Н. Петров, А.П. Удовик, Ю.А. Верницкий, М.И. Горлов, Ю.Г. Замотайлов, в короткие сроки смогла разработать и получить действующие образцы микросхем диодно-транзисторной логики (ДТЛ).

В ОАО «ЭНИКмаш-В» успешно ведутся разработки по технологии горячей объемной штамповки (ГОШ). Наиболее эффективен техпроцесс безоблойной ГОШ в разъёмных матрицах, при котором формообразование поковок осуществляется за счет выдавливания металла одним или несколькими пуансонами из приемника (контейнера) матрицы в примыкающую к нему полость ручья, имеющую форму и размеры получаемой поковки.